Galerie de résultats
Exemples de sorties produites par QE-to-TCAD après un calcul complet.
Carbone (diamant, Fd-3m)
Propriétés extraites :
- ε₀ ≈ 6.74 (expérimental : 6.72)
- ω_p ≈ 28.9 eV
- Isotropie : |ε_x − ε_y| < 0.01 %
- Zéro-crossing (fréquence plasma) à ~12.3 eV
Les figures PNG haute résolution sont générées dans plots/ :
qe-plot C
# → plots/C_dielectric_dispersion.png
Silicium (cubique, Fd-3m)
Exemple de JSON exporté (parsed_data/Si.json) :
| Propriété | Valeur calculée |
|---|---|
| Gap de bande | 1.68 eV (indirect) |
| ε₀ | ~15.9 |
| m*_e | 0.12 m₀ |
| m*_h | 0.85 m₀ |
Matériaux en cours / disponibles
| Matériau | Structure | Statut |
|---|---|---|
| C | Diamant (Fd-3m) | ✓ Validé |
| Si | Cubique (Fd-3m) | ✓ Disponible |
| Ge | Cubique (Fd-3m) | ✓ Disponible |
| SiGe | Alliage | ✓ Disponible |
| Fe | Métal | ✓ Disponible |
| Zn | Hexagonal (P6₃/mmc) | En cours |
| Graphène | 2D | En cours |
Consultez le dossier parsed_data/ du dépôt pour les JSON complets.
Courbes de convergence
python3 plot_convergence_progressive.py convergence_data/Si_convergence.json
Produit des graphiques montrant l'évolution de l'énergie totale et du gap en fonction de ecutwfc et des k-points.
Validation TCAD — SiGe
Résultats de simulation dispositif 1D obtenus avec qe-tcad à partir des propriétés SiGe exportées par le pipeline.
Diode
Caractéristique I–V en polarisation directe et profil de potentiel électrostatique à l'équilibre.
qe-tcad SiGe diode
Transistor NPN
Caractéristique I–V et profil de potentiel à l'équilibre pour un transistor NPN SiGe.
qe-tcad SiGe transistor
Reproduire ces résultats
qe-bridge SiGe
qe-plot SiGe
qe-tcad SiGe diode
qe-tcad SiGe transistor
Voir Utilisation pour le guide complet.